在半导体物理学中，PN结是一种基础且重要的结构，广泛应用于二极管、晶体管等电子器件中。当PN结处于正向偏置状态时，其内部和外部的电场方向表现出一种特定的关系，这一特性对于理解器件的工作原理至关重要。

首先，我们需要了解PN结的基本构成。PN结是由P型半导体和N型半导体通过特殊工艺结合而成的。在未加外部电压的情况下，PN结两侧会形成一个内建电场，这个电场的方向是从P区指向N区。这种内建电场的存在是由于P区和N区载流子浓度差异所导致的扩散运动。

当PN结施加正向电压时，外加电场的方向与内建电场的方向相同。这意味着，外加的正向电压不仅抵消了内建电场的部分影响，还进一步增强了整体电场的作用力。这种增强的电场有助于促进多数载流子的流动，从而使得电流能够顺利通过PN结。

具体来说，在正向偏置条件下，P区的空穴和N区的电子分别被吸引到靠近界面的位置，并在此处相遇复合。同时，由于外加电压提供的能量支持，更多的载流子得以跨越势垒进入对方区域，形成较大的正向电流。因此，可以说，正是由于内外电场方向的一致性，才保证了PN结能够在正向偏置下实现有效的导电功能。

此外，值得注意的是，在实际应用中，为了优化性能，工程师们通常会对PN结进行掺杂处理以及调整其几何尺寸等参数设计。这些措施可以有效地改善器件的开关速度、耐压能力及效率等因素，进而满足不同场合下的需求。

综上所述，PN结正向导通时其内外电场方向的一致性是该现象发生的关键因素之一。通过对这一特性的深入研究，不仅可以帮助我们更好地理解半导体器件的工作机制，还能为新型高效能电子元件的研发提供理论依据和技术指导。